کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1297433 | 1498398 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Point and structural defects in Bi2PbxTe3 single crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The study of the doping process of Bi2Te3 by Pb atoms in wide range of lead concentration ((1.0–80.0) × 1018 cm− 3) revealed two distinct areas of influence of the incorporated Pb atoms on changes in free carrier concentration. While at lower concentration of incorporated Pb (up to 20 × 1018 Pb atoms cm− 3) the ratio of generated holes to one incorporated Pb atom — Δp/cPb — falls from value of 1.06 down to 0.55, at higher concentration ((20–80) × 1018 Pb atoms cm− 3) the value stays constant. The observed behaviour of seeming electrical inactivity of the incorporated Pb atoms is explained by a point defect model taking into account the interaction between the entering Pb atoms and native lattice defects of Bi2Te3 crystal structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Ionics - Volume 177, Issues 39–40, 15 January 2007, Pages 3513–3519
Journal: Solid State Ionics - Volume 177, Issues 39–40, 15 January 2007, Pages 3513–3519
نویسندگان
T. Plecháček, J. Navrátil, J. Horák, D. Bachan, A. Krejčová, P. Lošťák,