کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
13445775 | 1843703 | 2020 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Two-step synthesis of few layer graphene using plasma etching and atmospheric pressure rapid thermal annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 101, January 2020, 107568
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 101, January 2020, 107568
نویسندگان
A.R. Graves, S. Chaudhari, C.D. Stinespring,