کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
13445775 1843703 2020 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Two-step synthesis of few layer graphene using plasma etching and atmospheric pressure rapid thermal annealing
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Two-step synthesis of few layer graphene using plasma etching and atmospheric pressure rapid thermal annealing
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 101, January 2020, 107568
نویسندگان
, , ,