کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1430638 | 1509191 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Organic thin film transistors with polymer high-k dielectric insulator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
With the soluble copolymer poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)) for the dielectric layer, we fabricate organic field effect transistors with enhanced gate effects, if we use P(VDF-TrFE) layers with a thickness of 2 μm. No hysteresis is observed. We obtain a relative dielectric constant of about 11 (at 1 kHz), which enables operation voltages smaller than for the organic insulator polymethylmetacrylate (PMMA, ε = 3.3 at 1 kHz). In contrast, for thinner films of P(VDF-TrFE) (250 nm), we find the typical ferroelectric hysteresis of the copolymer. This gives opportunities for building up organic transistors with a thin P(VDF-TrFE) ferroelectric layer as nonvolatile memory element.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: C - Volume 26, Issues 5â7, July 2006, Pages 1028-1031
Journal: Materials Science and Engineering: C - Volume 26, Issues 5â7, July 2006, Pages 1028-1031
نویسندگان
Klaus Müller, Ioanna Paloumpa, Karsten Henkel, Dieter SchmeiÃer,