کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1441269 | 1509400 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigating the effect of buffer layer on magnetoresistance in organic spin-valves
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigating the effect of buffer layer on magnetoresistance in organic spin-valves Investigating the effect of buffer layer on magnetoresistance in organic spin-valves](/preview/png/1441269.png)
چکیده انگلیسی
According to the magnetoresistance (MR) experiments in the Co/Al2O3/Alq3/LSMO device, we investigate spin injection and MR of this organic device. Taking into account the spin-related resistance and partial voltage of the Al2O3 buffer layer, we obtain an apparent adjustable MR of the organic device. A large MR is predicated with an optimized buffer layer thickness. In addition, the effects of different buffer layer materials on the MR are discussed to give a suggestion on experimental investigations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Synthetic Metals - Volume 176, 15 July 2013, Pages 92-95
Journal: Synthetic Metals - Volume 176, 15 July 2013, Pages 92-95
نویسندگان
W. Qin, Y.B. Zhang, S.J. Xie,