کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1442891 | 1509450 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of Au deposition rate on the performance of top-contact pentacene organic field-effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of Au deposition rate on the performance of top-contact pentacene organic field-effect transistors Effect of Au deposition rate on the performance of top-contact pentacene organic field-effect transistors](/preview/png/1442891.png)
چکیده انگلیسی
A study of the influence of the deposition rate of top-contact Au source and drain electrodes deposited by electron-beam evaporation on the electrical performance of pentacene organic field-effect transistors (OFETs) is presented. By adjusting the deposition rate of the Au electrodes to minimize metal diffusion into the semiconductor pentacene layer, the source/drain contact resistance could be reduced. At a Au deposition rate of 10 Å/s, high-performance pentacene p-channel OFETs were obtained with a field-effect mobility of 0.9 cm2/Vs and a normalized channel width resistance of 23 kΩ cm in a device with a channel length of 25 μm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Synthetic Metals - Volume 159, Issues 21–22, November 2009, Pages 2371–2374
Journal: Synthetic Metals - Volume 159, Issues 21–22, November 2009, Pages 2371–2374
نویسندگان
Xiao-Hong Zhang, Benoit Domercq, Bernard Kippelen,