کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1461590 | 989620 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The growth and conductivity of nanostructured ZnO films grown on Al-doped ZnO precursor layers by pulsed laser deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The structure and electrical properties of nanostructured Al-doped ZnO (AZO)/ZnO bilayers grown as potential solar cell electrodes by pulsed laser deposition on (0001) sapphire substrates are investigated. Transmission and scanning electron microscopy and X-ray diffraction show a narrow temperature window around 350–450 °C where nanostructures are formed. 2-D mapping of electrical conductivity by tunnelling atomic force microscopy showed that these nanostructures provided low resistance pathways, but that the overall film resistivity increased for substrate temperatures above 350 °C. The reasons for this are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ceramics International - Volume 40, Issue 6, July 2014, Pages 8389–8395
Journal: Ceramics International - Volume 40, Issue 6, July 2014, Pages 8389–8395
نویسندگان
Haridas Kumarakuru, David Cherns, Andrew M. Collins,