کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1461638 | 989621 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties of chemical solution deposited (Bi0.9RE0.1)(Fe0.975Cu0.025)O3−δ (RE=Ho and Tb) thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Pure BiFeO3 (BFO) and (Bi0.9RE0.1)(Fe0.975Cu0.025)O3−δ (RE=Ho and Tb, denoted by BHFCu and BTFCu) thin films were prepared on Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100) substrates by using a chemical solution deposition method. The BHFCu and BTFCu thin films showed improved electrical and ferroelectric properties compared to pure BFO thin film. Among them, the BTFCu thin film exhibited large remnant polarization (2Pr), low coercive field (2Ec) and reduced leakage current density, which are 89.15 C/cm2 and 345 kV/cm at 1000 kV/cm and 5.38×10−5 A/cm2 at 100 kV/cm, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ceramics International - Volume 39, Supplement 1, May 2013, Pages S189–S193
Journal: Ceramics International - Volume 39, Supplement 1, May 2013, Pages S189–S193
نویسندگان
Jin Won Kim, Chinanmbedu Murugesan Raghavan, Youn-Jang Kim, Jeong-Jung Oak, Hae Jin Kim, Won-Jeong Kim, Myong Ho Kim, Tae Kwon Song, Sang Su Kim,