کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1480587 | 1510418 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Two-level systems in evaporated amorphous silicon
ترجمه فارسی عنوان
سیستم های دو سطح در سیلیکون آمورف تبخیر شده
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سیلیکون آمورف، دو سطح سیستم، حرارت خاص، اصطکاک داخلی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
In e-beam evaporated amorphous silicon (a-Si), the densities of two-level systems (TLS), n0 and P¯, determined from specific heat C and internal friction Qâ 1 measurements, respectively, have been shown to vary by over three orders of magnitude. Here we show that n0 and P¯ are proportional to each other with a constant of proportionality that is consistent with the measurement time dependence proposed by Black and Halperin and does not require the introduction of additional anomalous TLS. However, n0 and P¯ depend strongly on the atomic density of the film (nSi) which depends on both film thickness and growth temperature suggesting that the a-Si structure is heterogeneous with nanovoids or other lower density regions forming in a dense amorphous network. A review of literature data shows that this atomic density dependence is not unique to a-Si. These findings suggest that TLS are not intrinsic to an amorphous network but require a heterogeneous structure to form.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 426, 15 October 2015, Pages 19-24
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 426, 15 October 2015, Pages 19-24
نویسندگان
D.R. Queen, X. Liu, J. Karel, H.C. Jacks, T.H. Metcalf, F. Hellman,