کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1481664 | 991538 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Light-induced annealing of hole trap states: A new aspect of light-induced changes in hydrogenated amorphous silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Light-induced changes in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) are studied. ⺠Prolonged illumination reduces the density of hole trap states in undoped a-Si:H. ⺠Subsequent thermal annealing increases the density of hole traps after illumination. ⺠We speculate that defect conversion processes are taking place under illumination.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issue 17, 1 September 2012, Pages 2048-2051
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issue 17, 1 September 2012, Pages 2048-2051
نویسندگان
Isao Sakata, Toshihiro Kamei, Mitsuyuki Yamanaka,