کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1481664 991538 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Light-induced annealing of hole trap states: A new aspect of light-induced changes in hydrogenated amorphous silicon
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Light-induced annealing of hole trap states: A new aspect of light-induced changes in hydrogenated amorphous silicon
چکیده انگلیسی
► Light-induced changes in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) are studied. ► Prolonged illumination reduces the density of hole trap states in undoped a-Si:H. ► Subsequent thermal annealing increases the density of hole traps after illumination. ► We speculate that defect conversion processes are taking place under illumination.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issue 17, 1 September 2012, Pages 2048-2051
نویسندگان
, , ,