کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1481735 991538 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The role of nitridation of nc-Si dots for improving performance of nc-Si nonvolatile memory
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The role of nitridation of nc-Si dots for improving performance of nc-Si nonvolatile memory
چکیده انگلیسی
► The nc-Si dots array is used to store information for nonvolatile memory based on the principle of discrete charge storage. ► The treatment of nitridation of nc-Si dots can effectively improve the charge storage characteristics and program speed. ► The nitrided Si layer acted as a barrier for the carriers tunneling back to the channel and then enhanced the retention time.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issue 17, 1 September 2012, Pages 2344-2347
نویسندگان
, , , , , , , ,