کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1481735 | 991538 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The role of nitridation of nc-Si dots for improving performance of nc-Si nonvolatile memory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The nc-Si dots array is used to store information for nonvolatile memory based on the principle of discrete charge storage. ⺠The treatment of nitridation of nc-Si dots can effectively improve the charge storage characteristics and program speed. ⺠The nitrided Si layer acted as a barrier for the carriers tunneling back to the channel and then enhanced the retention time.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issue 17, 1 September 2012, Pages 2344-2347
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issue 17, 1 September 2012, Pages 2344-2347
نویسندگان
Xin-Ye Qian, Kun-Ji Chen, Yue-Fei Wang, Xiao-Fan Jiang, Zhong-Yuan Ma, Zhong-Hui Fang, Jun Xu, Xin-Fan Huang,