کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1483473 | 991597 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The epitaxial growth of sputtered silicon layers on differently oriented substrates at low temperature - An electron microscopic study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We investigated epitaxial silicon films deposited on differently oriented substrates by pulsed magnetron sputtering at temperatures of 500-550 °C. Our scanning and transmission electron microscopic as well as electron backscattering investigations show that epitaxial films grow not only on (1 0 0)-oriented substrates, but also on (2 1 0)-, (4 1 1)- and (3 1 1)-oriented ones. A change to the (1 0 0) orientation is found for the growth on (1 1 1)- , (3 2 1)- and close to (1 1 0)-oriented substrates. For these orientations transmission electron microscopic investigations show stacking faults, microtwins and small amorphous inclusions in a region starting at the substrate-film interface up to thicknesses of 150-200 nm. With increasing film thickness above 200 nm the crystalline perfection of the epitaxial layers improves.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issue 26, 1 August 2007, Pages 2550-2556
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issue 26, 1 August 2007, Pages 2550-2556
نویسندگان
I. Sieber, I. Urban, P. Schubert-Bischoff,