دانلود مقالات ISI درباره 81.15.kk + ترجمه فارسی

Novel approach to the fabrication of a strain- and crack-free GaN free-standing template: Self-separation assisted by the voids spontaneously formed during the transition in the preferred orientation

Keywords: A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides81.05.Ea; 81.15.Kk

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Anisotropic defect reduction in non-polar a-plane GaN grown by hydride vapor phase epitaxy on maskless patterned templates

Keywords: 71.55.Eq; 81.15.Kk; 61.72.Lk; Defects; Morphology; HVPE; GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of highly transparent and conducting Sc-doped ZnO films on c-plane sapphire by sol-gel process without buffer

Keywords: 81.05.Dz; 61.05.cp; 61.05.jh; 68.37.Hk; 68.37.Ps; 81.15.Kk; Zinc oxide; Scandium doping; Sol-gel; Thin films; Annealing temperature;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth of GaN with warm ammonia by molecular beam epitaxy

Keywords: A1. Growth models; A1. X-ray diffraction; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials81.15.Hi; 81.15.Kk; 82.33.Ya; 81.05.Ea; 61.05.cp

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Surface-diffusion induced growth of ZnO nanowires

Keywords: 81.05.Dz; 81.15.Aa; 81.15.Kk; 62.23.HjA1. Nanowires; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Surface morphology of GaN nanorods grown by catalyst-free hydride vapor phase epitaxy

Keywords: 81.15.Kk; 68.55.−a; 68.37.Hk; GaN; Nanorods; Hydride vapor phase epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of growth temperature on the selective area MOVPE of InAs nanowires on GaAs (1 1 1) B using N2 carrier gas

Keywords: 81.07.−b; 81.15.Kk; 81.05.Ea; 68.37.HkA1. Nanostructures; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Mg doping behavior of MOVPE InxGa1−xN (x∼0.4)

Keywords: 81.15.Kk; 71.55.−iA1. Doping; A1. Diffusion; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Epitaxial lateral overgrowth on (2 1¯ 1¯ 0) a-plane GaN with [0 1¯ 1 1]-oriented stripes

Keywords: 61.05.cp; 61.72.Hh; 61.72.Nn; 78.55.Cr; 81.15.Kk; 81.65.Cf; A1. Line defects; A1. Optical spectroscopy; A1. Planar defects; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improvements in a-plane GaN crystal quality by AlN/AlGaN superlattices layers

Keywords: 81.15.Kk; 78.55.CrA1. Crystal morphology; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Strain-reduced GaN thick-film grown by hydride vapor phase epitaxy utilizing dot air-bridged structure

Keywords: 81.15.Kk; 81.05.EaA1. Substrates; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium; B1. Nitride compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE

Keywords: 81.15.Kk; 78.55.CrA1. Structural property; A1. Electrical property; A3. MOVPE; B2. a-plane GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

X-ray photoelectron spectroscopy study on the CrN surface grown on sapphire substrate to control the polarity of ZnO by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: 81.05.Dz; 81.15.Kk; 78.66.J; 61.46; Polarity, ZnO, CrN, X-ray photoelectron spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Germanium films with strong in-plane and out-of-plane texture on flexible, randomly textured metal substrates

Keywords: 81.05.Cy; 81.15.Jj; 81.15.Kk; 68.55.jm; 81.15.CdA1. Texture; A3. Ion beam-assisted deposition; A3. Vapor phase epitaxy; B2. Photovoltaic materials; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Characterization of CdTe films with in situ CdCl2 treatment grown by a simple vapor phase deposition technique

Keywords: 81.15.Kk; 81.15.−z; 81.05.Dz; 68.37.Hk; 68.37.Ps; 61.05.cp; In situ CdCl2 treatment; Solar cells CdS/CdTe; Vapor phase deposition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Surface biofunctionalization of nanostructured GeSbSe chalcogenide glass thin films

Keywords: 87.85.fk; 81.15.kk; 77.84.Bw; 47.20.Km; 77.84.Jd; 36.20.Ng; Biosensors; Vapor phase deposition; Chalcogenides; FTIR measurements; Polymers and organics;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A complete crystallographic study of GaN epitaxial morphologies in selective area growth by hydride vapour phase epitaxy (SAG-HVPE)

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Kk; 68.37.HkA1. Crystal morphology; A3. HVPE; A3. Selective epitaxy; B1. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Self-organizational tendencies of heteroepitaxial transition-metal silicide nanoislands

Keywords: 81.15.Kk; 81.15.Np; 81.16.Dn; 68.55.A−; 68.55.J−; 62.23.Eg; 68.37.Ef; 61.05.jh; Vapor-phase epitaxy; Self-assembled nanostructures; Surface structure; Morphology; Roughness, and topography; Silicides; Scanning tunneling microscopy; Reflection high-ene

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Impact of CBr4, V/III ratio, temperature and AsH3 concentration on MOVPE growth of GaAsSb:C

Keywords: 85.30.Pq; 81.15.Kk; 81.05.Ea; 61.72.sd; 68.35.DvA1. Characterization; A1. Doping; A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and process modeling studies of nickel-catalyzed metalorganic chemical vapor deposition of GaN nanowires

Keywords: 81.05.Ea; 81.07.−b; 81.15.Kk; A2. Growth from vapor; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of growth temperature on GaN:Cr incorporation and structural properties in MOVPE

Keywords: 68.35.Dv; 68.55.ag; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.15.Kk; A1. Crystallites; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Reactor-pressure dependence of growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by MOVPE

Keywords: 81.15.Kk; 78.55.CrA3. MOVPE; B1. a-plane GaN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Enhancement of electron mobility in ZnO layers with applying ultrasonic spray-assisted MOVPE and buffer layers

Keywords: 73.61.Ga; 81.05.Dz; 81.15.Gh; 81.15.Kk; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Oxide; B1. Zinc compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.15.Kk; 68.37.Ps; 78.55.Cr; 61.10. EqGaN; Polarity; HVPE; AFM; PL; XRD

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of GaN crystals from chlorine-free gas phase

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Kk; A1. Crystallites; A2. Growth from vapour; A3. Vapour phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Indium nitride quantum dot growth modes in metalorganic vapour phase epitaxy

Keywords: 81.05.Ea; 81.07.Ta; 81.15.Kk; 68.37.PsA1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Step-flow growth of homoepitaxial ZnO thin films by ultrasonic spray-assisted MOVPE

Keywords: 68.47.Gh; 81.05.Dz; 81.15.Kk; 81.15.GhA1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Oxide; B1. Zinc compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Formation mechanisms of GaN nanorods grown on Si(1 1 1) substrates

Keywords: 61.46.Km; 61.72.uj; 68.37.Lp; 81.15.Kk; GaN nanorods; Microstructural properties; Formation mechanism; Hydride vapor phase epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Ni-doped zinc oxide nanocombs and phonon spectra properties

Keywords: 81.05.Dz; 81.15.Kk; 81.16.Rf; 71.55.GsDoping semiconductors; Nanostructures; Phonon spectra

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Color tuning of photoluminescence from ZnS nanobelts synthesized with Cu and Mn doping and without intentionally doping

Keywords: 61.46.+w; 78.67.-n; 81.15.Kk; 61.72.VvZnS nanobelts; Photoluminescence; Vapor phase transport method; Cu doped ZnS nanobelts; Mn doped ZnS nanobelts

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Fabrication and characterization of native non-polar GaN substrates

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Kk; 61.05.cp; 61.7.FfA2. Growth from vapor; A2. Single-crystal growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of pentacene thin films on anthracene single crystals

Keywords: 81.15.Kk; 61.10.Nz; A1. X-ray diffraction; A3. Vapor-phase epitaxy; B1. Organic compounds; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

High-temperature growth of thick AlN layers on sapphire (0 0 0 1) substrates by solid source halide vapor-phase epitaxy

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Kk; 71.55.−iA3. Vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Long-range ordering of GaN nano-grains grown on vicinal sapphire substrates

Keywords: 81.15.Kk; 61.10.Nz; 61.30.HnA1. Nucleation; A1. X-ray diffraction; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of anti-adhesive self-assembled monolayer for nanoimprint lithography

Keywords: 81.15.Kk; 81.16.Rf; 68.37.Ps; 81.16.Dn; 81.16.−C; Anti-adhesive; Self-assembled monolayer; FDTS; UV-nanoimprint lithography;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Ab initio calculation for the decomposition process of GaN (0 0 0 1) and (0 0 0 1¯) surfaces

Keywords: 81.15.Kk; 81.10.Bk; 81.05.Ea; 31.15.ArA1. Computer simulation; A1. Desorption; A1. Surface processes; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Investigation on microstructure in GaN epitaxial growth on the stripe-patterned r-plane sapphire substrates

Keywords: 68.55.−a; 61.72.Ff; 81.05.Ea; 81.15.Kk; 81.15.GhA1. Interface; A1. Line defects; A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of hydrogen input partial pressure on the polarity of InN on GaAs (1 1 1)A grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Kk; 68.55.JkA1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Synthesis of AlN from Li3N and Al: Application to vapor phase epitaxy

Keywords: 68.55.Ag; 81.15.Kk; 81.30.DzA1. Phase diagrams; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of dimethylhydrazine on Zn, C, and H doping of GaP

Keywords: 81.15.Kk; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 82.33.Ya; 68.35.Bs; 68.55.Ac; 68.55.Ln; 61.71.Vv; A1. Doping; A1. Impurities; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary materials using in situ RAS

Keywords: 68.47.Fg; 81.05.Ea; 81.15.Kk; 82.20.PmA1. Interfaces; A1. Mass transfer; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optically in-situ monitored growth of carbon doped InAlAs by LP-MOVPE using CBr4

Keywords: 71.55.Eq; 81.15.Kk; 81.15.Gh; 78.55.Cr; 81.70.FyA1. In-situ monitoring; A1. Ternary composition; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Carbon doping; B1. CBr4; B2. InAlAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Improvements in the crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Kk; 68.55.J−A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Modeling, optimization, and growth of GaN in a vertical halide vapor-phase epitaxy bulk reactor

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.10.−h; 81.15.Kk; 78.55.−mA1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Phase, nucleation and coalescence of HgI2 onto amorphous substrates

Keywords: 68.55.A−; 68.35.R1; 81.15.Kk; A1. Nucleation; A3. Graphoepitaxy; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting mercury compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Micro-Raman for compositions characterization of selective area growth of AlxGayIn1−x−yAs materials by metal-organic vapor-phase epitaxy

Keywords: 78.30.−j; 42.82.−m; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A1. Characterization; A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Substrate holder biasing for improvement of microcrystalline silicon deposition process

Keywords: 81.15.Kk; 78.30.−j; Silicon; Vapor phase deposition; Raman spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The development of (InGa)As thermophotovoltaic cells on InP using strain-relaxed In(PAs) buffers

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Kk; 85.30.Kk; 85.60.Gz; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Thick GaN layers grown by HVPE: Influence of the templates

Keywords: 81.15.Gh; 81.70.Fy; 81.15.Kk; 81.05.EaA1. High-resolution X-ray diffraction (HR-XRD); A1. Optical microscopy; A3. Hydride vapor phase epitaxy (HVPE); A3. Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD); B1. Sapphire (Al2O3)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Synthesis and field emission of two kinds of hierarchical SnO2 nanostructures

Keywords: 61.46.+w; 81.15.Kk; 79.70.+qA. Hierarchical SnO2 nanostructures; B. Vapor phase transport; D. Field emission

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه