کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1483971 | 1510514 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anisotropic luminescence photo-excitation in H2-loaded Ge-doped silica exposed to polarized 193Â nm laser light
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have investigated the polarization dependence of the photo-luminescence VUV excitation spectra in H2-loaded Ge-doped SiO2 glass exposed to polarized 193 nm laser light. As for non-H2-loaded Ge-doped silica, we show that the β band photo-luminescence excited in the VUV spectral range (6-9 eV) remains positively polarized. In our experiments, the polarization degree P is quite high (P â 0.4) due to the preferential bleaching of polarized UV-exposure. As a result, we observe a highly anisotropic luminescence photo-excitation since the luminescence is mainly polarized in the writing laser polarization direction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 355, Issues 18â21, 1 July 2009, Pages 1062-1065
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 355, Issues 18â21, 1 July 2009, Pages 1062-1065
نویسندگان
M. Lancry, B. Poumellec, M. Douay,