کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1485204 | 991655 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Abnormal frequency dispersion of the admittance associated with a chromium/plasma deposited a-SiNx:H/p-Si structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Admittance (Ym) versus applied gate bias (VG) on MIS structure (Cr/a-SiNx:H/p-Si) was measured as a function of frequency (mHz-MHz)/temperature (77-400Â K) as parameters to investigate minority carrier behavior. Strong frequency dispersion in measured capacitance at inverting gate bias (positive biases for p-type silicon substrate) and low frequency behavior in capacitance-voltage (C-V) curves under high measuring frequencies (above kHz) at 300-400Â K temperature interval are reported. This phenomenon is interpreted via lateral hopping conductivity of self-inversion charges beyond the gate inside a-SiNx:H film near interface as generation mechanism of minorities with a lower activation energy (0.11Â eV) rather than prevailing mechanisms of much higher activation energies (namely, generation-recombination and diffusion).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issue 29, 15 September 2007, Pages 2751-2757
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issue 29, 15 September 2007, Pages 2751-2757
نویسندگان
Orhan Ãzdemir, Ä°smail Atilgan, Bayram KatircioÄlu,