کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1485378 | 1510538 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Smallest (â¼10Â nm) phase-change marks in amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Electrical nano-scale crystallization and amorphization in amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films have been studied using scanning probe microscopes. In scanning tunneling microscopes, the phase changes can be induced, not by tunneling currents, but by conducting currents flowing through contacted probes. In an atomic force microscope, metallic cantilevers can produce phase-change marks with minimal sizes of â¼10Â nm. The crystallization and amorphization processes show different dependences upon thickness of Ge2Sb2Te5 films. These features are discussed from thermo-dynamical and microscopic structural points-of-view.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 18â21, 15 June 2007, Pages 1899-1903
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 18â21, 15 June 2007, Pages 1899-1903
نویسندگان
Keiji Tanaka,