کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1485457 | 1510543 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron emission from excited states of E′ centers in SiO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
42.70.Gi78.55.Hx81.05.Je78.47.+p - + 78.47. + p78.67.?n - 78.67Radiation effects - اثرات تابشPhotoinduced effects - اثرات عکس دیجیتالThin film transistors - ترانزیستورهای فیلم نازکAbsorption - جذبoptical properties - خواص نوریOptical spectroscopy - طیف سنجی نوریdefects - عیوبFilms and coatings - فیلم ها و پوشش هاPlanar waveguides - موجبرهای مسطحNanocrystals - نانوکریستالQuartz - کوارتز
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electron emission from excited states of E′ centers in SiO2 Electron emission from excited states of E′ centers in SiO2](/preview/png/1485457.png)
چکیده انگلیسی
The applicability of the non-stationary optically stimulated electron emission (OSEE) to the spectroscopy of E′ centers in different SiO2 modifications was demonstrated. Spectral dependences of the OSEE from E′ centers in samples of silica glass, crystalline α-quartz, SiO2 films and nanoceramics exposed to fast electrons and ions were obtained. A model of the energy structure of E′ centers accounting for the absence of luminescence and taking into account the presence of two non-radiative relaxation channels (intracenter and ionization) is discussed. This model was used to substantiate the mechanism of the photothermal decay of E′ centers and to determine the quantum yields of OSEE for different types of E′ centers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 5–7, 1 April 2007, Pages 590–593
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 5–7, 1 April 2007, Pages 590–593
نویسندگان
A.F. Zatsepin,