کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1486834 | 1398271 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of optical gain in Eu-doped GaN thin film grown by OMVPE method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We prepare and optically characterize a thin film of GaN:Eu. Room temperature intense emission band at around 620 nm is observed, corresponding to 5D0 → 7F2 electronic dipole transition of Eu3+ ions in the GaN host material. At lower temperatures, three components, at 621, 622, and 623 nm, arising from different Eu3+ optical centers, can be distinguished. Using a combination of variable stripe length (VSL) and shifting excitation spot (SES) methods we investigate optical gain of this Eu-related PL band at room temperature and determine its lower limit to be approximately 14 cm−1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Science: Advanced Materials and Devices - Volume 1, Issue 2, June 2016, Pages 220–223
Journal: Journal of Science: Advanced Materials and Devices - Volume 1, Issue 2, June 2016, Pages 220–223
نویسندگان
Ngo Ngoc Ha, Atsushi Nishikawa, Yasufumi Fujiwara, Tom Gregorkiewicz,