کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1489693 | 992310 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gap-filling of Cu–Al alloy into nanotrenches by cyclic metalorganic chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Gap-filling of Cu–Al alloy into nanotrenches by cyclic metalorganic chemical vapor deposition Gap-filling of Cu–Al alloy into nanotrenches by cyclic metalorganic chemical vapor deposition](/preview/png/1489693.png)
چکیده انگلیسی
In this work, Cu–Al alloy thin films with lower values of electrical resistivity than that of an Al-free Cu thin film were produced by cyclic metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), followed by thermal annealing of the Cu/Al multilayer formed, with controlled Cu and Al precursor delivery times. The Ru-coated SiO2 trench with the opening width of 50 nm and aspect ratio of 1:6.7 could be completely filled by the Cu–Al alloy. The Ru/SiO2 trench, filled conformally and voidlessly by the Cu–Al (0.7 at.%) alloy, showed no presence of intermetallic compounds.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 47, Issue 10, October 2012, Pages 2961–2965
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 47, Issue 10, October 2012, Pages 2961–2965
نویسندگان
H.K. Moon, S.J. Lee, J. Yoon, H. Kim, N.-E. Lee,