کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1490963 | 992338 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature growth of single crystalline germanium nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Ge nanowires have been prepared at a low temperature by a simple hydrothermal deposition process using Ge and GeO2 powders as the starting materials. These as-prepared Ge nanowires are single crystalline with the diameter ranging from 150 nm to 600 nm and length of several dozens of micrometers. The photoluminescence spectrum under excitation at 330 nm shows a strong blue light emission at 441 nm. The results of the pressure and GeO2 content dependences on the formation and growth of Ge nanowires show that the hydrothermal pressure and GeO2 content play an essential role on the formation and growth of Ge nanowires under hydrothermal deposition conditions. The growth of Ge nanowires is proposed as a solid state growth mechanism.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 45, Issue 2, February 2010, Pages 153–158
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 45, Issue 2, February 2010, Pages 153–158
نویسندگان
L.Z. Pei, H.S. Zhao, W. Tan, H.Y. Yu, Y.W. Chen, J.F. Wang, C.G. Fan, J. Chen, Qian-Feng Zhang,