کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1491890 992363 2008 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoelectrical properties of layered GaS single crystals and related structures
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Photoelectrical properties of layered GaS single crystals and related structures
چکیده انگلیسی

The photoconductivity of pure and Cu-doped layered gallium monosulfide (GaS) single crystals, and of Ni–GaS(Cu)–In and GaS(Cu)–ZnO structures, is investigated. The activation energies of surface states were found as 0.10 eV, 0.40 eV and 17 meV, ∼400 meV for GaS and GaS(Cu), respectively. Cu acceptor levels are localized at 0.44 eV and 0.52 eV above the valence band of GaS. ZnO–GaS(Cu) heterojunctions show remarkable photosensitivity in the wavelength range of 250–700 nm.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 43, Issue 12, 1 December 2008, Pages 3195–3201
نویسندگان
, , , ,