کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1491890 | 992363 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoelectrical properties of layered GaS single crystals and related structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The photoconductivity of pure and Cu-doped layered gallium monosulfide (GaS) single crystals, and of Ni–GaS(Cu)–In and GaS(Cu)–ZnO structures, is investigated. The activation energies of surface states were found as 0.10 eV, 0.40 eV and 17 meV, ∼400 meV for GaS and GaS(Cu), respectively. Cu acceptor levels are localized at 0.44 eV and 0.52 eV above the valence band of GaS. ZnO–GaS(Cu) heterojunctions show remarkable photosensitivity in the wavelength range of 250–700 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 43, Issue 12, 1 December 2008, Pages 3195–3201
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 43, Issue 12, 1 December 2008, Pages 3195–3201
نویسندگان
M. Caraman, V. Chiricenco, L. Leontie, I.I. Rusu,