کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1492001 | 992365 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characteristics of Al-doped c-axis orientation ZnO thin films prepared by the sol–gel method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Transparent conducting ZnO thin films doped with Al have been prepared by sol–gel method, which were characterized by X-ray diffraction, atomic force microscopy and ultra-violet spectrometer. The films showed a hexagonal wurtzite structure and high preferential c-axis orientation. The optical transmittance spectra of the films showed the transmittance higher than 85% within the visible wavelength region. A minimum resistivity of 6.2 × 10−4 Ω cm was obtained for the film doped with 1.5 mol.% Al, preheated at 300 °C for 15 min and post-heated at 530 °C for 1 h.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 41, Issue 2, 2 February 2006, Pages 354–358
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 41, Issue 2, 2 February 2006, Pages 354–358
نویسندگان
Z.Q. Xu, H. Deng, Y. Li, Q.H. Guo, Y.R. Li,