کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1497318 | 993002 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Location of lanthanide impurity energy levels in the III–V semiconductor AlxGa1−xN (0 ⩽ x ⩽ 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using spectroscopic data on lanthanide ions in AlxGa1−xN (0 ⩽ x ⩽ 1) and recently developed methods, the 4f ground state energy for each divalent and trivalent lanthanide relative to the valence and conduction band is established. The obtained energy level schemes provide a complete description of relevant optical and luminescence properties of lanthanide doped AlxGa1−xN (0 ⩽ x ⩽ 1). Especially, the relation between thermal quenching of Eu3+ or Tb3+ emission and the location of the energy levels is explained. The schemes reveal which trivalent lanthanide ions are able to trap electrons in their 4f-shell and which lanthanide ions are potential hole traps.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 30, Issue 7, March 2008, Pages 1052–1057
Journal: Optical Materials - Volume 30, Issue 7, March 2008, Pages 1052–1057
نویسندگان
P. Dorenbos, E. van der Kolk,