کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1497622 | 1510801 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structure and electrical activity of rare-earth dopants in semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We review theoretical investigations into the structure and electrical activity of rare-earth dopants in group IV and III–V semiconductors. We find that in Si, rare-earth dopants are electrically active and have a high affinity for complexing with oxygen. In contrast, rare-earth dopants in GaAs and GaN are electrically inactive and require another defect to enable them to act as exciton traps. In further contrast AlN, is distinctive as it possess a deep donor level. The result of complexes of the RE with other defects is discussed along with implications for efficient room temperature luminescence.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 28, Issues 6–7, May 2006, Pages 718–722
Journal: Optical Materials - Volume 28, Issues 6–7, May 2006, Pages 718–722
نویسندگان
R. Jones,