کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1497771 1510802 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties study of porous silicon layer prepared by electrochemical etching
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electrical properties study of porous silicon layer prepared by electrochemical etching
چکیده انگلیسی
This paper considers an AC and DC electrical features of porous silicon (PSi) layers prepared by electrochemical etching. Measurements of capacitance-frequency (C-f), conductance-frequency (G-f), photoconductivity (PC) and current-voltage (I-V) were used for the investigation of the electrical properties of these structures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 28, Issues 1–2, January 2006, Pages 143-146
نویسندگان
, , , , ,