کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1497771 | 1510802 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties study of porous silicon layer prepared by electrochemical etching
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper considers an AC and DC electrical features of porous silicon (PSi) layers prepared by electrochemical etching. Measurements of capacitance-frequency (C-f), conductance-frequency (G-f), photoconductivity (PC) and current-voltage (I-V) were used for the investigation of the electrical properties of these structures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 28, Issues 1â2, January 2006, Pages 143-146
Journal: Optical Materials - Volume 28, Issues 1â2, January 2006, Pages 143-146
نویسندگان
Andrzej Korcala, WacÅaw BaÅa, Artur Bratkowski, Piotr Borowski, Zbigniew Åukasiak,