کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498096 | 1510889 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation and growth of stacking fault tetrahedra in Ni via vacancy aggregation mechanism
ترجمه فارسی عنوان
شکل گیری و رشد تتراهدهای گسل انباشته در نیکل از طریق مکانیسم تجمع جایگاه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
دینامیک مولکولی، نفوذ، نقص نقطه، تقسیم ترافرهای گسل
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
Using molecular dynamics simulations, the formation and growth of stacking fault tetrahedra (SFT) are captured by vacancy cluster diffusion and aggregation mechanisms in Ni. The vacancy-tetrahedron acts as a nucleation point for SFT formation. Simulations show that perfect SFT can grow to the next size perfect SFT via a vacancy aggregation mechanism. The stopping and range of ions in matter (SRIM) calculations and transmission electron microscopy (TEM) observations reveal that SFT can form farther away from the initial cascade-event locations, indicating the operation of diffusion-based vacancy-aggregation mechanism.
Figure optionsDownload high-quality image (213 K)Download as PowerPoint slide
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 114, 15 March 2016, Pages 137–141
Journal: Scripta Materialia - Volume 114, 15 March 2016, Pages 137–141
نویسندگان
Dilpuneet S. Aidhy, Chenyang Lu, Ke Jin, Hongbin Bei, Yanwen Zhang, Lumin Wang, William J. Weber,