کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498356 | 1510922 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Direct epitaxial growth of θ-Ni2Si by reaction of a thin Ni(10 at.% Pt) film with Si(1 0 0) substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Direct epitaxial growth of θ-Ni2Si by reaction of a thin Ni(10 at.% Pt) film with Si(1 0 0) substrate Direct epitaxial growth of θ-Ni2Si by reaction of a thin Ni(10 at.% Pt) film with Si(1 0 0) substrate](/preview/png/1498356.png)
چکیده انگلیسی
The reaction between an 11 nm Ni(10 at.% Pt) film on a Si substrate has been examined by in situ X-ray diffraction (XRD), atom probe tomography (APT) and transmission electron microscopy (TEM). In situ XRD experiments show the unusual formation of a phase without an XRD peak through consumption of the metal. According to APT, this phase has an Si concentration gradient in accordance with the θ-Ni2Si metastable phase. TEM analysis confirms the direct formation of θ-Ni2Si in epitaxy on Si(1 0 0) with two variants of the epitaxial relationship.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volumes 78–79, May 2014, Pages 9–12
Journal: Scripta Materialia - Volumes 78–79, May 2014, Pages 9–12
نویسندگان
Federico Panciera, Dominique Mangelinck, Khalid Hoummada, Michaël Texier, Maxime Bertoglio, Anthony De Luca, Magali Gregoire, Marc Juhel,