کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1499327 | 993302 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Arsenic clustering during formation of the transient Ni silicide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Arsenic clustering during formation of the transient Ni silicide Arsenic clustering during formation of the transient Ni silicide](/preview/png/1499327.png)
چکیده انگلیسی
The redistribution of arsenic during the reaction of Ni thin films with arsenic-doped Si(1 0 0) substrates is studied by in situ X-ray diffraction (XRD) and atom probe tomography. In situ XRD showed the formation of a transient phase that forms isolated grains at the δ-Ni2Si/Si interface. Arsenic is not incorporated in δ-Ni2Si but accumulates at the δ-Ni2Si/Si interface. Clusters containing 10 at.% As are present only in the transient phase. The As clustering might have important consequences for devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 67, Issue 2, July 2012, Pages 169–172
Journal: Scripta Materialia - Volume 67, Issue 2, July 2012, Pages 169–172
نویسندگان
K. Hoummada, G. Tellouche, I.D. Blum, A. Portavoce, D. Mangelinck,