کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1499536 | 993311 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Manganese diffusion in monocrystalline germanium
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The diffusion of a half monolayer of Mn deposited by molecular beam epitaxy on a Ge(0 0 1) substrate was studied via secondary ion mass spectrometry. Mn diffused in Ge under extrinsic conditions, exhibiting a solubility of 0.7–0.9%. All the Mn atoms were activated, occupying Ge substitutional sites and exhibiting a negative charge, in agreement with semiconductor doping theory. The diffusion mechanism being vacancy (V)-mediated, the formation of Mn–V pairs is suggested. Mn surface desorption occurred for temperatures >600 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 67, Issue 3, August 2012, Pages 269–272
Journal: Scripta Materialia - Volume 67, Issue 3, August 2012, Pages 269–272
نویسندگان
A. Portavoce, O. Abbes, Y. Rudzevich, L. Chow, V. Le Thanh, C. Girardeaux,