کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1499536 993311 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Manganese diffusion in monocrystalline germanium
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Manganese diffusion in monocrystalline germanium
چکیده انگلیسی

The diffusion of a half monolayer of Mn deposited by molecular beam epitaxy on a Ge(0 0 1) substrate was studied via secondary ion mass spectrometry. Mn diffused in Ge under extrinsic conditions, exhibiting a solubility of 0.7–0.9%. All the Mn atoms were activated, occupying Ge substitutional sites and exhibiting a negative charge, in agreement with semiconductor doping theory. The diffusion mechanism being vacancy (V)-mediated, the formation of Mn–V pairs is suggested. Mn surface desorption occurred for temperatures >600 °C.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 67, Issue 3, August 2012, Pages 269–272
نویسندگان
, , , , , ,