کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1499707 | 993318 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thickness effects on the lithiation of amorphous silicon thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The lithiation of thin film Si was investigated in an electrochemical cell, using in situ wafer curvature to monitor the evolution of in-plane stresses. Increasing the initial film thickness from 50 to 250 nm led to decreases in both the nominal flow stress and the Li capacity. These observations are consistent with relatively slow Li diffusion. The corresponding concentration gradients should have a substantial effect on the deformation and viscous flow that occur in lithiated Si.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 4, February 2011, Pages 307–310
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 4, February 2011, Pages 307–310
نویسندگان
Sumit K. Soni, Brian W. Sheldon, Xingcheng Xiao, Anton Tokranov,