کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1499744 | 993319 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sapphire surface pits as sources of threading dislocations in hetero-epitaxial GaN layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Sapphire substrates showed nanosized surface pits after the growth of GaN layers using a two-step process by hydride vapor-phase epitaxy. Threading dislocations with Burgers vectors of c and c + a were found to originate from the pits. Cross-sectional transmission electron microscopy observations are used to elucidate the mechanism of dislocation generation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 65, Issue 3, August 2011, Pages 257–260
Journal: Scripta Materialia - Volume 65, Issue 3, August 2011, Pages 257–260
نویسندگان
F.Y. Meng, I. Han, H. McFelea, E. Lindow, R. Bertram, C. Werkhoven, C. Arena, S. Mahajan,