کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1499815 | 993322 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of shallow junctions in gallium and phosphorus compensated silicon for cell performance improvement
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Solar cells have been fabricated from gallium and phosphorus compensated Czochralski silicon wafer. It is found that these solar cells have shallower n+p junctions, compared to those based on conventional silicon. The cell efficiencies under 1 sun illumination are on average 0.2% higher than those of conventional solar cells. This improvement is associated with the better spectral response in the short-wavelength range, due to the formation of shallower junctions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 65, Issue 10, November 2011, Pages 871-874
Journal: Scripta Materialia - Volume 65, Issue 10, November 2011, Pages 871-874
نویسندگان
Peng Chen, Xuegong Yu, Lin Chen, Deren Yang,