کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500034 | 993330 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Efficiency improvement of crystalline silicon solar cells with a back-surface field produced by boron and aluminum co-doping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
By combining the doping process of Al alloying with the higher solubility of B in Si, a B/Al co-doped shallow back-surface field (B/Al-BSF) layer was created for fabrication of Si solar cells. The increased carrier concentration in the B/Al-BSF facilitates the modulation of BSF strength. The back-surface recombination velocity exhibits a U-shape function of carrier concentration, and reaches a minimum at a carrier concentration of 1019 cm−3. As a result, the solar cell efficiency can be improved by 0.5%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 66, Issue 6, March 2012, Pages 394–397
Journal: Scripta Materialia - Volume 66, Issue 6, March 2012, Pages 394–397
نویسندگان
Xin Gu, Xuegong Yu, Deren Yang,