کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500064 | 993332 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Manganese diffusion in annealed magnetic tunnel junctions with MgO tunnel barriers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Manganese diffusion in annealed magnetic tunnel junctions with MgO tunnel barriers Manganese diffusion in annealed magnetic tunnel junctions with MgO tunnel barriers](/preview/png/1500064.png)
چکیده انگلیسی
Atom probe tomography (APT) and transmission electron microscopy (TEM) are used to characterize MgO-based magnetic tunnel junctions in as-deposited and annealed states. The annealing produced giant tunneling magnetoresistance (TMR) values of ∼350%. Upon annealing, Mn diffuses from an IrMn exchange bias layer within the device to one interface of the tunnel barrier layer, while the TMR initially increases. TEM and APT show that Mn does not appear to diffuse into the MgO barrier, but segregates at the CoFe/MgO interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 7, April 2011, Pages 673–676
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 7, April 2011, Pages 673–676
نویسندگان
D.J. Larson, E.A. Marquis, P.M. Rice, T.J. Prosa, B.P. Geiser, S.-H. Yang, S.S.P. Parkin,