کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500259 | 993340 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
TiFeCoNi oxide thin film – A new composition with extremely low electrical resistivity at room temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We show the electrical resistivity of a TiFeCoNi oxide thin film. The electrical resistivity of the TiFeCoNi thin film decreased sharply after a suitable period of oxidation at high temperature. The lowest resistivity of the TiFeCoNi oxide film was 35 ± 3 μΩ-cm. The low electrical resistivity of the TiFeCoNi oxide thin film was attributed to Ti, which is more reactive than the other elements, reacting with oxygen at the initial stage of annealing. The low resistivity is caused by the remaining electrons.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 2, January 2011, Pages 173–176
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 2, January 2011, Pages 173–176
نویسندگان
Ya-Chu Yang, Chun-Huei Tsau, Jien-Wei Yeh,