کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500260 | 993340 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase transformation of single crystal silicon induced by grinding with ultrafine diamond grits
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Phase transformation of single crystal silicon (Si) was investigated under various grinding conditions using high-resolution transmission electron microscopy. Nanocrystals with sizes ranging from 6 to 20 nm of diamond cubic silicon (Si-I) and high-pressure phase (Si-III) were observed in the grinding-induced amorphous Si layers. The phase transformation pattern was found to be influenced by the thermal status involved in the grinding processes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 2, January 2011, Pages 177–180
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 2, January 2011, Pages 177–180
نویسندگان
Zhenyu Zhang, Yueqin Wu, Dongming Guo, Han Huang,