کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500660 | 993354 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A self-formed nanonetwork meshed Pt layer on an epitaxial GaN surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A self-formed nanonetwork meshed Pt layer on an epitaxial GaN surface A self-formed nanonetwork meshed Pt layer on an epitaxial GaN surface](/preview/png/1500660.png)
چکیده انگلیسی
A self-formed nanonetwork meshed Pt layer formed on the epitaxial (0 0 0 1) GaN substrate upon thermal annealing. Electron backscatter diffraction analysis shows that, while the meshed Pt layer was forming on the GaN surface, Pt atoms rearranged themselves in a (1 1 1)-preferred orientation on (0 0 0 1) GaN. The (1 1 1) Pt/(0 0 0 1) GaN interface represents the most energy-favored stacking configuration. This unique meshed Pt layer demonstrates a relatively high transmittance in visible range, which can be used as a high-reflectivity/low-resistance p-GaN contact for high-power LEDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 6, March 2011, Pages 533–536
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 6, March 2011, Pages 533–536
نویسندگان
C.Y. Liu, C.C. Chang, Y.J. Chen, P.H. Chen,