کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1503358 | 993468 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single adatom site exchange during the Ge growth on group V element covered Si(0 0 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The site exchange between Ge and surfactant atoms in the growth of Ge on the group V element-covered Si(0 0 1) has been studied using first-principles total energy calculations. On the Bi-covered Si(0 0 1) and the As-covered Si(0 0 1), a single adatom site exchange process can occur energetically, but with different pathways. The energy barriers for the single adatom site exchange are very small. The site exchange can therefore occur very easily. This will suppress the Ge diffusion, and favors the layer-by-layer growth mode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 56, Issue 2, January 2007, Pages 113–116
Journal: Scripta Materialia - Volume 56, Issue 2, January 2007, Pages 113–116
نویسندگان
En-Zuo Liu, Chong-Yu Wang,