کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1504898 | 1511006 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A pentacene thin film transistor with good performance using sol–gel derived SiO2 gate dielectric layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A pentacene thin film transistor with good performance using sol–gel derived SiO2 gate dielectric layer A pentacene thin film transistor with good performance using sol–gel derived SiO2 gate dielectric layer](/preview/png/1504898.png)
چکیده انگلیسی
A low-voltage pentacene field-effect transistor with sol–gel derived SiO2 gate dielectric was fabricated. The mobility of the transistor was achieved as high as 1.526 cm2/V on the bared SiO2/Si substrate by a higher dielectric constant. The interface state density for the transistor was found to vary from 3.8 × 1010 to 7.5 × 1010 eV−1 cm−2 at frequency range of 100 kHz–1 MHz. It is evaluated that the SiO2 derived by low cost sol–gel is quite a promising candidate as a gate dielectric layer for low-voltage pentacene field-effect transistor.
Figure optionsDownload as PowerPoint slide
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Sciences - Volume 16, February 2013, Pages 111–116
Journal: Solid State Sciences - Volume 16, February 2013, Pages 111–116
نویسندگان
M. Cavas, Ahmed A. Al-Ghamdi, O.A. Al-Hartomy, F. El-Tantawy, F. Yakuphanoglu,