دانلود مقالات ISI درباره ترانزیستور لایه نازک + ترجمه فارسی
Tft, Thin Film Transistor
آشنایی با موضوع
ترانزیستور لایه نازک تکنولوژی شناخته شدهای در صفحات نمایش است. اکثر تلفنهای همراه امروزی از این نوع صفحه نمایش بهره میگیرند. ترانزیستورهای این نمایشگرها بهصورت لایهای نازک در پشت آنها قرار گرفته است. پیشرفتهای بسیاری در تکنولوژی TFT در یک دههی گذشته و پس از استفاده از مواد گوناگون نانوساختار مانند نقاط کوانتومی، نانو سیمها، نانو لولهها، مواد دو بعدی و انواع کامپوزیتهای نانوساختار به وجود آمده است.
مزایای مانیتورهایTFT: 1- بدون تشعشع: به دلیل عدم استفاده از لامپ تصویر و مکانیزم تفنگ الکترونی و ولتاژ بالا (High Voltage) این مانیتورها هیچ گونه امواج الکترو مغناطیسی با طول موج کوتاه که برای سلامتی بسیار مضر و خطرناک هستند تولید نمیکنند و این در حالی است که سازندگان مانیتورهای معمولی، عمده تلاش خود را معطوف به کنترل و کاهش سطح انتشار این امواج داشتهاند و ایجاد استاندارد TCO با این هدف بوده است. 2- مصرف انرژی بسیار پایین: به دلیل اینکه ایجاد تصویر در این مانیتورها اساساً توسط عناصر نیمه هادی صورت میگیرد، مصرف انرژی این مانیتورها بسیار پایین است. 3- وضوح و کیفیت تصویر بالا: خلق تصویر در مانتیورهای TFT-LCD توسط میلیونها عنصر نیمه هادی میباشد. در این مانیتورها برای هر نقطه تصویر به طور فیزیکی یک نقطه (Pixel) روی صفحه تصویر وجود دارد که خود از سه عنصر نیمه هادی برای سه رنگ اصلی تشکیل شده است.
در این صفحه تعداد 120 مقاله تخصصی درباره ترانزیستور لایه نازک که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند که با مراجعه به هر یک از آنها، می توانید متن کامل مقاله انگلیسی همراه با ترجمه فارسی آن را دریافت فرمایید. در صورتی که مقاله مورد نظر شما هنوز به فارسی ترجمه نشده باشد، مترجمان با تجربه ما آمادگی دارند آن را در اسرع وقت برای شما ترجمه نمایند.
مقالات ISI ترانزیستور لایه نازک (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند. در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: ترانزیستور لایه نازک; Amorphous oxide; InGaZnO; Thin film transistor; Transmission line method; Contact resistance; Transfer length; Specific contact resistivity; Contact area