کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
728334 1461401 2016 4 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A study on phase transformation of SnOx thin films prepared by reactive magnetron sputtering
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه بر روی انتقال فاز از فیلم های نازک SnOx تهیه شده توسط اسپکترومغناطیسی واکنش پذیر
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
کلمات کلیدی
نوع P؛ SnO؛ SnO2؛ ترانزیستور فیلم نازک
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی

In the paper, SnOx thin films were deposited by reactive magnetron sputtering from a tin target in O2 containing working gas. The evolution from Sn-containing SnO to tetravalent SnO2 films was investigated. The films could be classified into three groups according to their optical band gaps, which are Eg<2.5 eV, Eg=3.0–3.3 eV and Eg>3.7 eV. The electric measurements show that high conductivity can be obtained much easier in SnO2 than in SnO films. A high electron mobility of 15.7 cm2 V−1 s−1, a carrier concentration of 1.43×1020 cm−3 and a resistivity of 2.8×10−3 Ω cm have been achieved in amorphous SnO2 films. Films with the optical band gap of 3.0–3.3 eV remain amorphous though the substrate temperature is as high as 300 °C, which implies that °btaining high mobility in p-type SnO is more challenging in contrast to n-type SnO2 films.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 46, May 2016, Pages 35–38
نویسندگان
, , , , , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت