کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1136108 | 1489132 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of transient drain current overshoot in polycrystalline silicon thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
کنترل و سیستم های مهندسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Modeling of transient drain current overshoot in polycrystalline silicon thin-film transistors Modeling of transient drain current overshoot in polycrystalline silicon thin-film transistors](/preview/png/1136108.png)
چکیده انگلیسی
Turn-on transient drain current in polycrystalline silicon thin-film transistors is investigated. We consider two mechanisms responsible for causing the overshoot current, i.e., the carrier trap effect (CTE) and the self-heating effect (SHE). Under low drain bias, current decay is described by the power-law relaxation indicating CTE. Meanwhile, when input power is increased, the overshoot component associated with SHE is superposed, for which the stretched exponential function provides a better representation. We discuss the mechanisms behind the observed characteristics, and propose a semi-empirical equivalent circuit model to reproduce the transient behavior especially focusing on CTE.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Mathematical and Computer Modelling - Volume 58, Issues 1–2, July 2013, Pages 363–367
Journal: Mathematical and Computer Modelling - Volume 58, Issues 1–2, July 2013, Pages 363–367
نویسندگان
Yoshinari Kamakura, Toshifumi Ota,