کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1509349 | 1511158 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of Defect-pool Model Parameters on the Lifetime in c-Si/a-Si:H Heterojunction Solar Cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We present here a study of the recombination at the hetero-interface of solar cells based on amorphous silicon / crystalline silicon (a-Si:H/c-Si). The volume defects in the amorphous silicon are modeled with the defect-pool model and we study whether the surface defects in c-Si at the a-Si:H/c-Si interface can be considered as a projection of the defects in a-Si:H close to the surface. We study the impact of the defect-pool model parameters on the surface defect density and on the effective lifetime. We show that the calculation of interface defects from the defect-pool model is compatible with experimental results only if the width of the valence band tail is decreased when the thickness of the buffer layer is increased.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 77, August 2015, Pages 153-158
Journal: Energy Procedia - Volume 77, August 2015, Pages 153-158
نویسندگان
David Reaux, José Alvarez, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Jean-Paul Kleider,