کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1521155 | 1511798 | 2015 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In situ Al-doped ZnO films by atomic layer deposition with an interrupted flow
ترجمه فارسی عنوان
در محل فیلم اکسید روی آلاییده آل رسوب لایه اتمی با جریان قطع
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
فیلم های نازک. پراکندگی اشعه ایکس، رسانایی الکتریکی، اثر هال،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 165, 1 September 2015, Pages 245-252
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 165, 1 September 2015, Pages 245-252
نویسندگان
Jheng-Ming Huang, Ching-Shun Ku, Chih-Ming Lin, San-Yuan Chen, Hsin-Yi Lee,