کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1521199 | 1511799 | 2015 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural - Electrical property correlation in defect induced nanostructured off-stoichiometric bismuth ferrite: A defect analysis
ترجمه فارسی عنوان
ساختار - همبستگی مالکیت الکتریکی در فریت بیسموت خارج از استوکیومتری نانوساختار ناشی از نقص: تجزیه و تحلیل نقص
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
مواد مغناطیسی، میکروسکوپ الکترونی ویژگی های الکتریکی، نفوذ،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
In order to increase magnetization, an attempt has been made to synthesize nanostructured bismuth ferrite using high energy planetary ball milling (HEPBM). In this process local heating in HEPBM and Bi-volatility has eventually led to the formation of BiFe5O12 (off stoichiometric bismuth iron garnet (BIG)). Electrical characterization has been done in order to identify the nature of defects and diffusion mechanism which has been supported by high resolution transmission electron microscopy and selected area electron diffraction images. The simultaneous analysis of current density-applied voltage (J-V) and current density-frequency (J-ν) curves gives insight mechanism for defect formation and how surface charge density depends on relaxation time and frequency of field applied.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 164, 15 August 2015, Pages 15-22
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 164, 15 August 2015, Pages 15-22
نویسندگان
R.K. Dwivedi, Pardeep K. Jha, Priyanka A. Jha, Pawan Kumar,