کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1523939 | 1511829 | 2011 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth process conditions of tungsten oxide thin films using hot-wire chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Process parameters to control hot-wire CVD of WO3âx are categorized. ⺠Growth time, oxygen partial pressure, filament and substrate temperature are varied. ⺠Chemical and crystal structure, optical bandgap and morphology are determined. ⺠Oxygen partial pressure determines the deposition rate up to as high as 36 μm minâ1. ⺠Nanostructures, viz. wires, crystallites and closed crystallite films, are controllably deposited.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 131, Issues 1â2, 15 December 2011, Pages 375-386
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 131, Issues 1â2, 15 December 2011, Pages 375-386
نویسندگان
Z. Silvester Houweling, John W. Geus, Michiel de Jong, Peter-Paul R.M.L. Harks, Karine H.M. van der Werf, Ruud E.I. Schropp,