کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1526583 | 1511845 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of faceted SiC single-crystal nanoparticles using a carbon nanocapsule as a reacting template
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this study, the faceted SiC nanoparticles displaying a unified faceted angle have been synthesized using a CNC (carbon nanocapsule) as a reacting template. A possible new reaction between SiO(g) and graphene, 2SiO(g) + C(s) → SiC(s) + SiO2(g), was found. A growth model was proposed to elucidate the growth of the faceted SiC nanoparticles. It was found that the match of the graphene (0 0 2) plane of the CNC caused the growth of SiC nanoparticles to be initiated by the SiC {2 20 } planes. The faceted angle of SiC nanoparticles was a result of the intersection angle of the {1 1 1} planes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 116, Issues 2–3, 15 August 2009, Pages 497–502
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 116, Issues 2–3, 15 August 2009, Pages 497–502
نویسندگان
Chien-Chong Chen, Huei-Ping Tseng, Tsung-Yen Huang, Jung-Chang Kuo, Gan-Lin Huang,