کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1529485 995756 2012 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate
چکیده انگلیسی
► The thermal conductivity of InAs on InP (1 1 3)B quantum dots stacks is measured. ► The growth of a close stack of 100 layers of InAs using AlAs strain compensating layers is presented. ► New data on the thermal conductivity of InP n-doped susbtrate are given.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 177, Issue 11, 25 June 2012, Pages 882-886
نویسندگان
, , , , , , , , , ,