کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1529485 | 995756 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate](/preview/png/1529485.png)
چکیده انگلیسی
⺠The thermal conductivity of InAs on InP (1 1 3)B quantum dots stacks is measured. ⺠The growth of a close stack of 100 layers of InAs using AlAs strain compensating layers is presented. ⺠New data on the thermal conductivity of InP n-doped susbtrate are given.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 177, Issue 11, 25 June 2012, Pages 882-886
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 177, Issue 11, 25 June 2012, Pages 882-886
نویسندگان
S. Salman, H. Folliot, J. Le Pouliquen, N. Chevalier, T. Rohel, C. Paranthoën, N. Bertru, C. Labbé, A. Letoublon, A. Le Corre,