کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530043 | 1511988 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Visible electroluminescence on FTO/thin SRO/n-Si structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) of silicon rich oxide (SRO) films deposited by low pressure chemical vapour deposition (LPCVD) have been researched. SRO films emit an intense PL band between 550 and 850 nm. EL was studied using fluorine-doped tin oxide (FTO)/thin SRO/n-Si structures. Intense and stable electroluminescence was observed under reverse bias. EL is observed between 400 and 900 nm with two main peaks around 450 and 600 nm. EL was related to charge injection through conductive paths and radiative recombination between traps or defect levels.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 174, Issues 1–3, 25 October 2010, Pages 141–144
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 174, Issues 1–3, 25 October 2010, Pages 141–144
نویسندگان
K.M. Leyva, M. Aceves-Mijares, Z. Yu, F. Flores, A. Morales-Sánchez, S. Alcántara,