کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530138 | 1511989 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Device size dependence of resistance switching performance in metal/manganite/metal trilayers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have fabricated epitaxial Pr0.8Ca0.2MnO3 (PCMO) insulator layers sandwiched between Al top electrodes and epitaxial La0.6Sr0.4MnO3 bottom electrode layers on (LaAlO3)0.3-(Sr2AlTaO6)0.7 (1Â 0Â 0) substrates. Various sizes of metal/insulator/metal device structures were formed by photolithography and Ar ion milling. Device size dependence of Al/PCMO interface resistances was well fitted by series-parallel equivalent circuit, indicating several types of different resistance components exist at the Al/PCMO interfaces. These different resistance components suggest that defects might distribute inhomogeneously at the Al/PCMO interfaces which exhibit the resistance switching.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 173, Issues 1â3, 15 October 2010, Pages 3-6
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 173, Issues 1â3, 15 October 2010, Pages 3-6
نویسندگان
G. Sugano, I. Ohkubo, T. Harada, T. Ohnishi, M. Lippmaa, Y. Matsumoto, H. Koinuma, M. Oshima,