کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530363 | 1511994 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Power devices in Polish National Silicon Carbide Program Power devices in Polish National Silicon Carbide Program](/preview/png/1530363.png)
چکیده انگلیسی
The paper is devoted to the Polish Government Program “New Technologies Based on Silicon Carbide for High Temperature, High Power and High Frequency Applications”. The program consists of three general tasks, aimed at: SiC bulk and substrate material fabrication, SiC device manufacturing and SiC device applications, respectively. In the contribution the main assumptions and goals of the program are given, and the executed and evaluated part of the research is presented in the field of the design and manufacturing of SiC power semiconductor devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 165, Issues 1â2, 25 November 2009, Pages 18-22
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 165, Issues 1â2, 25 November 2009, Pages 18-22
نویسندگان
A. Kubiak, M. Sochacki, Z. Lisik, J. Szmidt, A. Konczakowska, R. Barlik,